MOSFET與IGBT

無錫新潔能專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。目前新潔能主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。公司是高新技術(shù)企業(yè)、中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)（中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，2016&2017&2018年），擁有江蘇省功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站，注重先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，多項(xiàng)研發(fā)成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會(huì)議上發(fā)表，并被SCI、EI索引。
新潔能MOS管與IGBT產(chǎn)品圖片

新潔能MOSFET:

作為新潔能MOSFET分立器件授權(quán)代理商，南山電子致力于推廣性能優(yōu)良、質(zhì)量穩(wěn)定并且具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的全系列MOS管產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計(jì)師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進(jìn)的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。新潔能專注于持續(xù)改進(jìn)MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊雪崩耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。

通過采用最先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。同時(shí)，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會(huì)更加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對(duì)于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計(jì)師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。通過采用這些先進(jìn)的技術(shù)手段，MOSFET的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））得以實(shí)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。

應(yīng)對(duì)于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時(shí)，降低反向恢復(fù)過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結(jié)合最先進(jìn)的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

·低FOM（Rdson*Qg） ? ? ?·高雪崩耐量,100%經(jīng)過EAS測(cè)試 ? ? ?·低反向恢復(fù)電荷（Qrr）,低反向恢復(fù)峰值電流（Irm）

·抗靜電能力（ESD） ? ? ?? ? ?·抗靜電能力（ESD） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用：

·各類鋰電池保護(hù)模塊 ? ? ? ? ?·手機(jī)、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理 ? ? ? ? ·LED TV等消費(fèi)類電子產(chǎn)品電源

·電動(dòng)交通工具控制器 ? ? ? ? ?·不間斷電源，逆變器和各類電力電源 ? ? ? ? ? ? ? ?·LED照明

新潔能IGBT

IGBT:

新一代（Trench FS II）IGBT系列產(chǎn)品，?基于溝槽電場(chǎng)截止型IGBT技術(shù)（Trench Field Stop）理論，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，采用了先進(jìn)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動(dòng)態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代（Trench FS）IGBT，新一代（Trench FS II）IGBT芯片面積更小，芯片厚度更??；導(dǎo)通壓降（VCEsat）降低約0.3V，開關(guān)損耗降低20%以上；器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長；且維持了較強(qiáng)的短路能力、較高的參數(shù)一致性；綜合性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

針對(duì)不同的應(yīng)用需求，推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列，確保在特定應(yīng)用中，器件保持最佳工作狀態(tài)，助您實(shí)現(xiàn)最理想的整機(jī)效率。

對(duì)于焊接、太陽能、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和家用電器等硬開關(guān)應(yīng)用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）產(chǎn)品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設(shè)計(jì)。

對(duì)于感應(yīng)加熱、太陽能等諧振開關(guān)應(yīng)用，推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢(shì)；與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應(yīng)用設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

- 低導(dǎo)通壓降（VCEsat） ? ? ? ? ?-低開關(guān)損耗（Ets） ? ? ? ? ?-短路能力10us ? ? ? ? ?- 低電磁干擾?

- 電參數(shù)重復(fù)性和一致性 ? ? ? ? ?- 高可靠性 ? ? ? ?? ?? ?? ?? ?? ?- 高溫穩(wěn)定性 ? ? ? ? ?- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)?

應(yīng)用：

-?電機(jī)驅(qū)動(dòng)??????????????-?逆變焊機(jī)??????????????????????-?不間斷電源UPS ???????? ????-?變頻器?????????

-?工業(yè)逆變器??????????-?太陽能功率轉(zhuǎn)換器? ? ? ???-?電磁感應(yīng)加熱? ? ? ? ? ? ? ???-?諧振開關(guān)應(yīng)用

熱銷MOS管與IGBT型號(hào)
NCE2301	NCE9926	NCE0106Z
NCE3416	NCE01P13K	NCE30H10K
NCE2302	NCE603S	NCE3050K
NCE3420	NCE0140KA	NCEP6080AG
NCE3404	NCE2333Y	NCE4060K
NCE4935	NCE2030K	NCEP0112AS
NCE3007S	NCE3080KA	NCE6009AS
NCE0103Y	NCEP1520K	NCEP60T12AK
NCE40P05Y	NCEP40T13GU	NCE3025Q
NCE3400AY	NCE3415	NCE2303